SiC Device Process Development Leader

In our power semiconductor business, we are focusing on IGBTs and Power MOSFETs for the rapidly growing xEV market and are increasing our production capacity to meet the strong demand.
In addition to these, we are planning to develop higher performance SiC MOSFETs and launch them in the market as soon as possible.
We are looking for engineers who can lead the development of next-generation SiC devices superior to competitors, with our device and process engineers who are leading the field.

SiC Device Process Development Leader　
1.Wafer process development project management from concept study to mass production technology establishment
2.Collaboration and negotiation with related companies
3.Direction on device structure design and process flow construction.
4.Coordination and negotiation with various departments such as element process technology (frontside/backside process), business, quality assurance, etc.

Required:
1. two years experience in project management of power device development
2. three years experience in SiC device structure design and process development
3. three years experience in 150mm or 200mm wafer process development
4. Ability to give presentations in English
5. Ability to do business communication in Japanese

Nice-to-Have
1. Experience with using TCAD
2. Expertise on IGBT, SiC module packaging.
3. Expertize on inverter system.

ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。