Power Device Design Engineer

・Product design and development of Power devices for Automotive and
  Industry use.
・Product in charge : Power devices (IGBT/FRD)
・Main Jobs:
  Power device product development, Device design, Device simulation 
  technology , Prototype evaluation, Test development

Requirement:
・ Experience in design, development, and evaluation 
   of power devices (IGBT, FRD, MOSFET) (more than 3 years)
・ Basic knowledge of power devices (IGBT, FRD, MOSFET)
・ Language Skills: Business level of Japanese & Business Level of English

Nice-to-Have:
・ Experience in design, development, and evaluation 
   of power devices (IGBT, FRD, MOSFET) (more than 5 years)
・ Basic knowledge and experience of device simulation
・ Basic knowledge of markets and applications
・ Basic knowledge of compound semiconductors (SiC, GaN, etc.)

We are planning to expand power device business for automotive and industrial use through new wafer process product development, IGBT 12-inch development, front-end foundry porting, etc. It is essential to strengthen the personnel resources of product development and designers.
This time, we would like to strengthen the development capabilities by hiring experienced person as an immediate asset.
In particular, we are looking for engineers who have knowledge and experience in device physics and in power device product design technology, and who will play a leading role in next-generation product design and development.

ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。