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タイトル:  A-286 半導体レーザー/フォトダイオードのデバイス・プロセス開発技術者

会社名:  ルネサスエレクトロニクス(株)
国名:  JP
都道府県:  滋賀県
市区町村:  Otsu-city
部署:  化合物デバイス部
事業本部:  ブロードベースドソリューション事業本部
オフィス:  大津
職務機能:  Production and Technology
職務タイプ:  正社員
説明: 

[募集背景]

近年、通信回線を流れるデータトラフィック量の爆発的増加が世界的規模で進んでいます。2017年~2025年にかけて、データセンターにおける100G/400G/800G光伝送需要やモバイル第5世代基地局展開が進むため、光通信市場は今後益々の拡大が期待されます。
ルネサスは、独自のコア・コンピタンス技術を基盤として、大容量・高速光ファイバ通信のキーデバイスである最先端の半導体レーザー(Laser Diode; LD)とフォトダイオード(Photodiode; PD)を量産しています。ルネサスLD/PDの競争力強化、次世代デバイスの開発・量産に向けて、高速光デバイスの設計・評価または化合物半導体のプロセス開発に携わるエンジニアを募集します。

[職務内容]

光通信用 半導体レーザー/フォトダイオード のチップ開発業務

  • 高速光デバイスの設計、シミュレーション (光導波路, 静特性, 動特性 等)
  • 化合物半導体のプロセス開発 (結晶成長, 電極形成, チップ形成 等)
  • 開発製品の静特性(電気・光学特性)、動特性(変調特性)、信頼性 の評価・解析
  • 開発製品の量産化(テスト歩留解析, 工程不良低減)
  • 顧客対応(デザイン・イン活動における技術サポート 等)

[必要とするスキル]

Must

  • 半導体およびプロセスに関する経験と知識
  • 関連部門とのコミュニケーションスキル、折衝能力
  • 課題に対して、積極的、自律的に取り組める方
  • 状況変化に柔軟に対応し、チャレンジできる方

Want

  • 化合物半導体およびプロセスに関する経験と知識
  • 半導体レーザー/フォトダイオード/高周波デバイスの開発経験または知識

[必要とする語学力]

英語 :日常会話ができる (TOEIC 600点程度)

日本語:ビジネス会話ができる

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