タイトル:  IGBT・パワーMOS(Si,SiC)デバイス開発エンジニア

ジョブタイプ:  正社員   

在宅勤務可否: いいえ 

ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。

当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。

当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。

■募集の背景

当社では、IGBT、SiCやパワーMOSなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強（大口径化や生産委託）などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。
他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。

■職務内容

パワーデバイス・プロセス開発

・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア

・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築

・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携

■勤務予定地

　山梨県甲斐市/茨城県ひたちなか市/群馬県高崎市/愛媛県西条市

■人材要件

MUST

・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験　３年以上
・ウェハプロセス開発経験　３年以上

WANT

・パワーデバイス（IGBT,パワーMOS(Si,SiC）開発経験　２年以上

・TCADシミュレーションスキル

・TEGレイアウトスキル

・デバイス電気特性評価スキル

必要な語学

英語　読み書きができる

日本語　ビジネス会話ができる