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Title:  PoMOSデバイス開発エンジニア(愛媛県)

Requisition ID:  40180
Department:  Power Device Technology Department
Location: 

Saijo, 38, JP

Job Function:  Engineering

Job Type: Permanent  - Full Time 

Travel Required: Up to 25% 

Remote Work Available: No 

 

Renesas is one of the top global semiconductor companies in the world. We strive to develop a safer, healthier, greener, and smarter world, and our goal is to make every endpoint intelligent by offering product solutions in the automotive, industrial, infrastructure and IoT markets. Our robust product portolio includes world-leading MCUs, SoCs, analog and power products, plus Winning Combination solutions that curate these complementary products. We are a key supplier to the world’s leading manufacturers of the electronics you rely on every day; you may not see our products, but they are all around you.

 

Renesas employs roughly 21,000 people in more than 30 countries worldwide. As a global team, our employees actively embody the Renesas Culture, our guiding principles based on five key elements: Transparent, Agile, Global, Innovative, and Entrepreneurial. Renesas believes in, and has a commitment to, diversity and inclusion, with initiatives and a leadership team dedicated to its resources and values. At Renesas, we want to build a sustainable future where technology helps make our lives easier. Join us and build your future by being part of what’s next in electronics and the world.

PoMOSデバイス開発エンジニア

 

■募集の背景

当社では、IGBT、SiCやパワーMOSなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強(大口径化や生産委託)などのプロジェクトを推進するリーダー候補となる人材を募集します。
他社様と比較して、マイコン、SoC、アナログ半導体、パワー半導体など幅広い製品ラインナップを揃えており、マイコンは世界トップクラスのシェアです。パワー半導体においても世界トップクラスの性能を有するパワーMOSやIGBTを開発・製品化しています。それらを支えるデバイス・プロセス技術を、多岐にわたるエンジニア集団が構造、工程設計のアイデアを創出して総合力で実現しています。人材育成を重視し、非常にやりがいのあるソリューション提案型の開発業務です。

 

■職務内容

 パワーデバイス・プロセス開発

 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
 ・デバイス構造設計や200mmウエハプロセスフロー構築
 ・要素プロセス技術(ウエハプロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携

 

■勤務予定地

 愛媛県西条市

 

■人材要件

MUST

 ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
 ・200mmウェハプロセス開発経験 3年以上

WANT

 ・パワーデバイス(パワーMOS)開発経験 2年以上
 ・TCADシミュレーションスキル
 ・TEGレイアウトスキル
 ・デバイス電気特性評価スキル

必要な語学

英語 読み書きができる

日本語 ビジネス会話ができる