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タイトル:  パワーデバイス 設計エンジニア(High Voltage)

求人ID:  38624
会社名:  Renesas Electronics Corporation
国/地域:  JP
部署:  HV Power Device Design Department
場所: 

Japan, JP

職務機能:  Hardware Engineering

ジョブタイプ:  正社員   

在宅勤務可否: はい 

 

ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。

当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。

当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。

 

 

1. 職務内容

  車載および産業用パワーデバイスの製品設計、製品開発

・対象製品:

パワーデバイス (IGBT/FRD)

・主担当業務:

パワーデバイス製品開発、デバイス設計、シミュレーション技術

試作評価、テスト開発

 

2. 背景

新ウェハプロセス製品開発、IGBT12インチ開発、前工程ファウンダリ展開等により車載/産業用パワーデバイス事業の拡大を計画しており、製品開発・設計者の人員強化が必須。

今回、即戦力としての経験者採用により開発体制を強化したい。

特に、デバイス物理の知識/経験と、パワーデバイス製品設計技術の知識/経験を併せ持つエンジニアで、次世代の製品設計/開発のリーダー的役割を担う人材を募集する。

 

3. 人材要件

(1)Must要件

・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上)

・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の基礎知識

(2)Want要件

・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (5年以上)

・デバイスシミュレーション基礎知識、経験

・市場、アプリケーションの基礎知識

・化合物半導体(SiC,GaNなど)の基礎知識

(3)語学力

    英語:読み書きができる

    日本語:ビジネス会話ができる